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仁懋MBR30200F-A-E2024-12-13 14:45
產(chǎn)品型號(hào):MBR30200F-A-E -
仁懋MBR30150W2024-12-13 14:43
產(chǎn)品型號(hào):MBR30150W -
仁懋MBR30100W2024-12-13 14:41
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產(chǎn)品型號(hào):MBR30100F-A-E -
仁懋MBR20200W2024-12-09 11:43
產(chǎn)品型號(hào):MBR20200W -
仁懋MBR20200F-A-E2024-12-09 11:40
產(chǎn)品型號(hào):MBR20200F-A-E -
仁懋MBR20150F-A-E2024-12-09 11:37
產(chǎn)品型號(hào):MBR20150F-A-E -
仁懋MBR20100F-A-E2024-12-09 11:33
產(chǎn)品型號(hào):MBR20100F-A-E -
仁懋MBR10200F-A-E2024-12-03 11:23
產(chǎn)品型號(hào):MBR10200F-A-E -
仁懋MBR10150F-A-E2024-12-03 11:21
產(chǎn)品型號(hào):MBR10150F-A-E
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告別燒MOS!仁懋大功率水泵電機(jī)控制選型指南2025-04-17 14:17
在極端天氣頻發(fā)的當(dāng)下,灌溉水泵已成為農(nóng)田保收的生命線。然而,行業(yè)調(diào)研數(shù)據(jù)顯示:27%的灌溉系統(tǒng)故障源于MOS管過熱燒毀或浪涌擊穿,傳統(tǒng)器件在惡劣情況下暴露三大短板:高溫降容:環(huán)境溫度>45℃時(shí),MOS電流承載能力驟降40%;水汽腐蝕:濕度>80%環(huán)境下,鍵合線銹蝕導(dǎo)致導(dǎo)通電阻(RDS(on))年漂移超15%;外部影響:外部環(huán)境復(fù)雜,對(duì)器件抗震動(dòng)要求高,容易引138瀏覽量 -
突破100lm/W的幕后英雄!揭秘高光效LED的電源心臟2025-04-10 09:45
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仁懋MOS產(chǎn)品在電動(dòng)叉車上的應(yīng)用2025-04-02 14:22
隨著電動(dòng)叉車向高效化、輕量化、長(zhǎng)續(xù)航方向發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件的選擇對(duì)系統(tǒng)性能影響顯著。仁懋TOLL封裝的MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻(RDS(on))、高功率密度、優(yōu)異的熱性能以及緊湊的封裝尺寸,成為電動(dòng)叉車電力電子系統(tǒng)的理想選擇。仁懋電子深耕動(dòng)力器件領(lǐng)域,推出MOT7130T4、MOT1113T4、MOT7136T等專用MOS產(chǎn)品,以“超低損耗、極致可靠”152瀏覽量 -
算力革命背后的隱形力量:仁懋MOSFET如何讓服務(wù)器電源效率狂飆?2025-03-21 17:35
算力時(shí)代的高壓挑戰(zhàn)隨著AI大模型訓(xùn)練集群規(guī)模突破10萬卡,單機(jī)柜功率密度已飆升至30kW,傳統(tǒng)服務(wù)器電源的MOSFET面臨極限考驗(yàn)——1%的效率差距意味著單數(shù)據(jù)中心年損耗超5000萬度電。仁懋電子專為高壓直流場(chǎng)景打造的MOT12N65T/MOT35N65T,以“高頻高效、極寒散熱”重新定義服務(wù)器電源MOS選型標(biāo)準(zhǔn)。技術(shù)破局:三重復(fù)合戰(zhàn)力1.導(dǎo)通損耗碾壓式領(lǐng)先 -
吸塵器“心臟”革命!仁懋TOLL技術(shù)重塑吸塵器動(dòng)力2025-03-14 16:52
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MOS高溫挑戰(zhàn)終結(jié)者?仁懋三款MOS器件引爆主機(jī)能效革命2025-03-06 17:55
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自研體二極管技術(shù)如何改寫戶儲(chǔ)MOS游戲規(guī)則?2025-02-28 15:44
戶儲(chǔ)行業(yè)痛點(diǎn):PFC電路的“沉默殺手”在家庭儲(chǔ)能系統(tǒng)普及率突破18%的今天,PFC(功率因數(shù)校正)電路MOS失效卻成為行業(yè)隱形痛點(diǎn)——某第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,32%的戶儲(chǔ)設(shè)備故障源于MOS溫升超標(biāo)或體二極管反向恢復(fù)失效。傳統(tǒng)MOS器件在戶用場(chǎng)景下面臨雙重暴擊:*開關(guān)損耗困局:Qg與Coss失衡導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)延遲,20kHz工況下?lián)p耗激增40%;*體二極管“反殺” -
仁懋TOLL產(chǎn)品為無人機(jī)動(dòng)力鏈打造高可靠解決方案2025-02-20 17:43
【行業(yè)痛點(diǎn):無人機(jī)動(dòng)力系統(tǒng)的“高空生死局”】在物流配送、農(nóng)業(yè)植保等無人機(jī)應(yīng)用場(chǎng)景爆發(fā)式增長(zhǎng)的今天,動(dòng)力系統(tǒng)的可靠性直接關(guān)乎商業(yè)價(jià)值——據(jù)行業(yè)統(tǒng)計(jì),35%的炸機(jī)事故源自電調(diào)MOS器件失效。傳統(tǒng)封裝器件在極端工況下面臨三重挑戰(zhàn):*電流過載危機(jī):起飛瞬間200A以上浪涌電流導(dǎo)致鍵合線熔斷;*熱失控魔咒:封閉空間內(nèi)溫升>80℃引發(fā)MOS性能雪崩;*體積重量枷鎖:電調(diào) -
從熱失控到效率飛躍——仁懋三款MOS器件重塑儲(chǔ)能電源設(shè)計(jì)2025-02-14 17:42
在戶外電源、移動(dòng)儲(chǔ)能箱等便攜式設(shè)備爆發(fā)式增長(zhǎng)的背后,工程師們正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn):“高功率密度、低溫升、長(zhǎng)壽命”的“不可能三角”。傳統(tǒng)封裝MOS器件受限于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),應(yīng)用在儲(chǔ)能應(yīng)用時(shí),普遍存在三大致命傷:1.過流瓶頸:鍵合線數(shù)量不足導(dǎo)致動(dòng)態(tài)電流超限時(shí)燒毀;2.散熱受限:熱阻(Rthja)>50℃/W,80%負(fù)載下溫升超40℃;3.體積束縛:封裝尺寸擠占PCB空間,制 -
國(guó)產(chǎn)功率器件突圍戰(zhàn):仁懋電子TOLL封裝如何改寫行業(yè)格局?2025-02-08 17:06
在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等萬億級(jí)賽道爆發(fā)的當(dāng)下,國(guó)產(chǎn)功率器件的"卡脖子"困境正被打破。作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè),仁懋電子憑借其TOLL(TO-Leadless)封裝系列產(chǎn)品的創(chuàng)新突破,不僅撕開了長(zhǎng)期被國(guó)際巨頭壟斷的高端市場(chǎng)缺口,更以"硬核技術(shù)+精準(zhǔn)適配"的組合拳,成為國(guó)產(chǎn)替代浪潮中的領(lǐng)跑者。技術(shù)突圍:TOLL封裝的三重進(jìn)化密碼在800V高壓平臺(tái)、高