### 1. 產品簡介

AP9964GM-VB 是一款雙 N+N 溝道場效應管（Dual-N+N-Channel MOSFET），采用溝道技術。具有30V 的漏極-源極電壓（VDS），20V 的門極-源極電壓（VGS）（±V），低閾值電壓（Vth）為1.7V，適合需要高效能和可靠性的電子系統應用。

### 2. 詳細參數說明

- **包裝類型（Package）**: SOP8
- **配置（Configuration）**: 雙 N+N-Channel
- **最大漏極-源極電壓（VDS）**: 30V
- **門極-源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON))**:
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流（ID）**: 8.5A
- **技術特點**: Trench（溝道技術）

### 3. 應用示例

AP9964GM-VB 可廣泛應用于以下領域和模塊：

- **電源管理**：適用于開關電源、DC-DC 變換器和電池充電管理電路中的功率開關，提供高效的能量轉換和電流調節。
- **汽車電子**：用于車載電源管理系統、電動汽車驅動控制和車載電子設備中的功率開關。
- **工業自動化**：在工業控制系統中，可用于電機驅動、逆變器和電動工具的功率管理。
- **消費電子**：例如在高性能電源適配器和便攜式電子設備中，提供高效能的電源管理和電流控制。

這些示例展示了 AP9964GM-VB 在需要高功率密度、高效率和可靠性的各種電子應用中的適用性和優勢。