--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AP9973GJ-VB 是一款單路N溝道MOSFET,采用先進的槽道結構技術,具備高效能和可靠性,適用于多種高功率電子應用場合。其低導通電阻和高電流承載能力使其成為電源管理和電機控制系統中的理想選擇。
### 詳細參數說明
- **包裝類型:** TO251
- **配置:** 單路N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 60V
- **門極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **門極閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
- 37mΩ @ VGS=4.5V
- 32mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 35A
- **技術特點:** 槽道結構

### 應用領域和模塊示例
AP9973GJ-VB 在以下領域和模塊中有廣泛的應用:
1. **開關電源和DC-DC轉換器:** 由于其高電流和低導通電阻特性,適用于高效開關電源和DC-DC轉換器,能夠提供高效能量轉換和穩定輸出,適用于服務器、電信設備和工業電源系統。
2. **電機驅動和控制系統:** 在電動工具、電動車和其他電機驅動系統中,AP9973GJ-VB 能提供強大的電流驅動能力和高效的功率管理,確保設備高效運行和長期可靠性。
3. **消費電子和電池管理:** 用于消費電子設備中的電池管理系統,如筆記本電腦、智能手機和平板電腦,提供高效的電源管理和電池壽命優化。
4. **汽車電子和電動汽車:** 在汽車電子系統中用于電動機控制、車載電源管理和電池系統中,確保系統在苛刻環境下的高效穩定運行。
這些示例展示了 AP9973GJ-VB 在多個高功率應用領域中的廣泛適用性,其優異的電性能和可靠性使其成為現代電子設計中的重要組成部分。
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