### 產品簡介

AP9980GJ-VB 是一款單路N溝道MOSFET，采用先進的槽道結構技術，具備高效能和可靠性，適用于需要高電壓和高電流承載能力的電子應用。

### 詳細參數說明

- **包裝類型：** TO251
- **配置：** 單路N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 100V
- **門極-源極電壓（VGS）：** ±20V
- **門極閾值電壓（Vth）：** 1.8V
- **導通電阻（RDS(ON))：** 36mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 35A
- **技術特點：** 槽道結構

### 應用領域和模塊示例

AP9980GJ-VB 在以下領域和模塊中有廣泛的應用：

1. **電源管理和DC-DC轉換器：** 由于其高電壓和低導通電阻特性，適用于高效能的開關電源和DC-DC轉換器，能夠提供穩定的電壓輸出和優異的能量轉換效率。

2. **電動工具和電動車輛：** 在需要高功率驅動和長時間運行的電動工具、電動車輛及其充電系統中，AP9980GJ-VB 可以提供強大的電流輸出和高效的熱管理，確保設備的持久性能和可靠性。

3. **工業自動化和電動化航空航天系統：** 用于工業自動化設備、電動化航空航天器系統和高壓電動舵機控制系統中，能夠滿足高壓和高電流的需求，確保系統的高效穩定運行。

4. **高端消費電子產品和電池管理：** 在高端消費電子產品如高性能筆記本電腦、智能手機和平板電腦的電池管理系統中，AP9980GJ-VB 能夠提供高效的電源管理和電池壽命優化，確保設備的長時間使用和高性能。

這些示例展示了 AP9980GJ-VB 在多個高壓和高功率應用領域中的廣泛適用性，其優異的電性能和可靠性使其成為現代電子設計中不可或缺的組成部分。