--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介詳述:
AP9T15J-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET,采用先進的槽溝技術(Trench)制造。該器件具有高電流承載能力和低導通電阻,適合于需要高功率密度和高效能的電路設計。封裝形式為 TO251,適用于各種工業和消費電子設備中。
### 2. 詳細參數說明:
- **器件型號:** AP9T15J-VB
- **包裝類型:** TO251
- **通道類型:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 50A
- **技術特性:** 槽溝技術(Trench)

### 3. 應用示例:
這款 MOSFET 適用于以下領域和模塊:
- **電源管理和開關電源:** AP9T15J-VB 可以作為高功率密度的開關電源模塊的主要開關管,用于服務器電源、數據中心電源和工業電源管理系統,提供高效能的電流控制和穩定的電壓輸出。
- **電動工具和電動車輛:** 在需要高功率密度和高電流輸出的電動工具和電動車輛驅動系統中,該器件能夠提供可靠的電源管理和驅動功能,確保系統運行的高效和穩定。
- **消費電子產品:** 適用于需要處理高功率和快速響應的消費電子產品,如高性能計算機、游戲設備和工作站,作為電源管理和保護電路的重要組成部分。
- **工業自動化和控制系統:** 在工業自動化和控制系統中,AP9T15J-VB 可以用于電機控制、傳感器接口和工業機器人控制,支持設備的高效運行和精準控制。
以上示例展示了 AP9T15J-VB 在多個需要高功率密度、高電流和低導通損耗要求的電路設計中的廣泛應用,利用其槽溝技術優勢,確保電路的高效能耗和長期可靠性。
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