### 產品簡介

AP9T19GH-VB 是一款單路N溝道MOSFET，采用先進的槽道結構技術，具有低導通電阻和高電流承載能力，適用于中功率電子應用。

### 詳細參數說明

- **包裝類型：** TO252
- **配置：** 單路N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 30V
- **門極-源極電壓（VGS）：** ±20V
- **門極閾值電壓（Vth）：** 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON))：**
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 70A
- **技術特點：** 槽道結構

### 應用領域和模塊示例

AP9T19GH-VB 在以下領域和模塊中有廣泛的應用：

1. **電源管理和電源適配器：** 由于其低導通電阻和高電流承載能力，適用于電源適配器、充電器和便攜式電子設備中的開關電源管理。能夠提供高效率的電能轉換和穩定的輸出電流。

2. **電動工具和電動車輛：** 在中功率的電動工具、電動車輛控制器和充電系統中，AP9T19GH-VB 提供可靠的電流控制和高效的熱管理，確保設備的長時間運行和性能穩定。

3. **汽車電子和LED驅動器：** 用于汽車電子系統中的電動窗控制、LED照明系統驅動器等應用，能夠滿足高功率密度和環境適應性的要求。

4. **工業控制和驅動系統：** 在工業自動化控制設備、馬達驅動器和電磁閥控制器中，AP9T19GH-VB 提供了高效的電能轉換和快速的開關特性，支持高功率輸出和精準的控制需求。

這些示例展示了 AP9T19GH-VB 在多個中功率電子應用領域中的廣泛適用性，其優異的電性能和可靠性使其成為設計師在解決功率管理和電流控制問題時的理想選擇。