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深圳市三佛科技

代理 芯茂微,統懋,臺灣富鼎,新潔能,PFC,華潤華晶,長電,遠翔,成啟,華能MOS管,二三極管。

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XD025H120BM1S3國產IBGT管25A 1200V

型號: XD025H120BM1S3

--- 產品參數 ---

  • 品牌 芯達茂
  • 型號 XD025H120BM1S3
  • 封裝 TO-247-3L

--- 產品詳情 ---

深圳市三佛科技有限公司供應XD025H120BM1S3國產IBGT管25A 1200V ,原裝現貨

 

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。

 

 

 

IBGT
+FRD單管
15A 1200V TO-252-3L XD005G120AY1G3充電搶
210A 1200V TO-220F-3LXD010H120AY1H3充電搶
315A 1200V TO-247-3LXD015H120BM1S3電機控制
415A 1200V TO-247-3LXD015H120AY1S31.5KW使用,不能用在2.2KW
525A 1200V TO-247-3LXD025H120BM1S3電機控制
640A 1200V TO-247-3LXD040H120AT1S3電機控制
740A 1200V TO-247-3LXD040H120BM1S3電機控制
840A 1200V TO-247-3LXD040Q120AM1S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
940A 1200V TO-247-3LXD040Q120AY1S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
106A 650V TO-252XD006H060CX1G3電機控制
116A 650V TO-220F-3LXD006H060CX1H3電機控制
126A 650V TO-263XD006H060CX1R3電機控制
1315A 650V TO-220XD015H060CX1L3電機控制
1420A 650V TO-220FXD020H065CX1H3電機控制
1540A 650V TO-247-3L XD040H065AY1S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
1640A 650V TO-247-3L XD040Q065AY1S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
1750A 650V TO-247-3L XD050Q065AY1S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
1860A 650V TO-247-3L XD060Q065AY1S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
1975A 650V TO-247-3LXD075H065CX1S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
2075A 650V TO-247-3L XD075Q065AY1S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
2175A 650V TO-247-3L XD075Q065AY2S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
2275A 650V TO-247-3L XD075Q065AY3S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
2380A 650V TO-247-3L XD080H065AY1S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)
IGBT+SBD2475A 650V TO-247-3LXD075C065CX1S3電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)

選擇
IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發熱加劇,選用時應該降等使用。
測量
靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大; 表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個單元沒有明顯的故障. 動態測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應為300-400歐,把表筆對調也有大約300-400歐的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的。 將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),紅表筆接IGBT 的源極(S),此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時IGBT 被觸發導通,萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極(S)和柵極(G),這時IGBT 被阻 斷,萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的?!∽⒁猓喝暨M第二次測量時,應短接一下源極(S)和柵極(G)。 任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時,一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低,檢測好壞時不能使IGBT 導通,而無法判斷IGBT 的好壞
 

 

XD025H120BM1S3國產IBGT管25A 1200V 產品供應

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