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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AUIRFR5305TR-VB一款Single-P溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: AUIRFR5305TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-P

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介
AUIRFR5305TR-VB 是一款采用 TO252 封裝的單極性 P 溝道 MOSFET,具備高達 -60V 的漏源電壓和 -50A 的連續漏電流能力。它采用了 Trench 技術,具有低 RDS(ON) 值,適合于需要高開關效率的應用場景。

### 參數說明
- **型號**:AUIRFR5305TR-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單極性 P 溝道 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**:-60V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V (±)
- **柵源閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **RDS(ON)**:25mΩ (VGS = 4.5V),20mΩ (VGS = 10V)
- **漏電流 (ID)**:-50A
- **技術**:Trench

### 適用領域和模塊
AUIRFR5305TR-VB 的高電流能力和低 RDS(ON) 值使其非常適合用于高功率開關和負載開關應用。例如,在負載開關模塊中,它能夠提供低導通電阻,降低功耗;在逆變器和電源管理系統中,它可以有效提升開關效率,保證系統穩定性;在電池管理系統中,它能夠高效地控制電流流向,優化電池的充放電過程。

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