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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AUIRFR5410-VB一款Single-P溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: AUIRFR5410-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-P

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**產品簡介:**

AUIRFR5410-VB 是一款高性能單P溝道MOSFET,采用TO-252封裝,專為高電壓和高電流應用設計。它具有-100V的漏源電壓(VDS)和-8.8A的連續漏極電流(ID)。該MOSFET利用Trench技術,具有在VGS=4.5V下導通電阻為280mΩ,在VGS=10V下為250mΩ的特點,適用于高效開關和功率控制應用。

**詳細參數說明:**

- **封裝**: TO-252
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓(VDS)**: -100V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: -2V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 
 - 280mΩ @ VGS = 4.5V
 - 250mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流(ID)**: -8.8A
- **技術**: Trench

**應用領域與模塊舉例:**

1. **負載開關**: AUIRFR5410-VB 在負載開關應用中提供高效的電源管理,適合用于各種電源開關模塊。

2. **逆變器電路**: 該MOSFET的高耐壓和低導通電阻特性,使其在逆變器電路中表現優異,支持高效的電力轉換。

3. **功率管理**: 在功率管理系統中,AUIRFR5410-VB 能夠有效控制電源流量,優化系統性能。

4. **電池保護電路**: 由于其高電流處理能力和良好的導通特性,這款MOSFET適用于電池保護電路,防止過流和過壓情況。

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