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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AUIRFR8401TRR-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: AUIRFR8401TRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介
AUIRFR8401TRR-VB 是一款采用 TO252 封裝的單極性 N 溝道 MOSFET,具有高達 40V 的漏源電壓和 120A 的連續漏電流能力。該 MOSFET 使用 Trench 技術,具有極低的 RDS(ON) 值,適用于高電流和高效率開關應用。

### 參數說明
- **型號**:AUIRFR8401TRR-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單極性 N 溝道 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V (±)
- **柵源閾值電壓 (Vth)**:3V
- **RDS(ON)**:3mΩ (VGS = 4.5V),1.6mΩ (VGS = 10V)
- **漏電流 (ID)**:120A
- **技術**:Trench

### 適用領域和模塊
AUIRFR8401TRR-VB 的高電流承載能力和極低的導通電阻使其非常適合用于高功率密度的應用。例如,在電動汽車的動力系統中,它能夠處理高電流,提升整體系統的效率;在服務器電源管理中,它可用于優化電源的開關性能,降低功耗;在大型工業電源模塊中,它能夠提供可靠的高電流開關能力,保證系統的穩定性和高效運行。

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