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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AUIRFS4410Z-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: AUIRFS4410Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

AUIRFS4410Z-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-263,專為高功率和高效率應用設計。它能夠承受高達 100V 的漏源電壓,具有優良的導通電阻和高電流承載能力,適合用于要求高電流和高效能的電力電子應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: AUIRFS4410Z-VB
- **封裝**: TO-263
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 4mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 140A
- **技術**: 溝槽型

### 應用領域與模塊

AUIRFS4410Z-VB MOSFET 在以下領域和模塊中應用廣泛:

1. **電源管理系統**:在高電流電源轉換器和高功率電源管理模塊中,其低導通電阻和高電流能力提高了系統的效率和穩定性,減少了能量損耗。

2. **電動汽車**:適用于電動汽車的高電壓電池管理系統和功率轉換模塊,提供高效能的電流控制,支持電動驅動系統的穩定運行。

3. **電機控制**:在高功率電機驅動器和變頻器中,該 MOSFET 提供高電流處理能力和低導通電阻,有助于實現高效能的開關控制,支持電機的平穩運行。

4. **開關電源**:在開關電源和高效 DC-DC 轉換器中,AUIRFS4410Z-VB 的低 RDS(ON) 特性有助于減少功率損耗,提高轉換效率。

5. **高功率應用**:用于高功率逆變器和電力分配系統中,該 MOSFET 的高電流承載能力和優良的導通電阻特性支持大電流的高效處理,確保系統的穩定運行。

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