### 產品簡介

AULR3114Z-VB 是一款高性能單通道 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝。此 MOSFET 具有優異的低導通電阻，適用于高電流應用，能夠承受高達 40V 的漏源電壓。其漏極電流可達 120A，適合用于需要高效能和高功率處理的場景。

### 詳細參數說明

- **型號**: AULR3114Z-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單通道 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.6mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench 工藝

### 適用領域和模塊

AULR3114Z-VB 適用于以下領域：

1. **電源管理**: 高效的導通電阻使其適合用于電源開關和 DC-DC 轉換器中，以提高整體能效并降低功耗。
2. **電動汽車**: 由于其高電流處理能力和耐高壓特性，適合用于電動汽車的電機驅動和電池管理系統。
3. **電力電子**: 可用于高功率電源設備中，如逆變器和功率放大器，以實現高效能和穩定運行。
4. **計算機硬件**: 在高性能計算機和服務器中，作為功率開關和調節器，以提高系統性能和穩定性。