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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AULS3114Z-VB一種TO263封裝Single-N-Channel場(chǎng)效應(yīng)管

型號(hào): AULS3114Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AULS3114Z-VB 是一款高性能單極 N 通道 MOSFET,采用 TO263 封裝。該 MOSFET 使用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有 40V 的漏極源極電壓(VDS)和 100A 的連續(xù)漏極電流(ID)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 6mΩ,在 VGS 為 10V 時(shí)為 5mΩ,提供極低的開(kāi)關(guān)損耗和高效能。閾值電壓(Vth)為 2.5V,VGS 范圍為 ±20V,保證了廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: AULS3114Z-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

AULS3114Z-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高功率電源管理**: 用于高功率轉(zhuǎn)換器和高效能電源模塊中,以提供低導(dǎo)通阻抗和高電流承載能力。
2. **電動(dòng)汽車(chē)**: 在電動(dòng)汽車(chē)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中作為高電流開(kāi)關(guān),幫助控制電動(dòng)機(jī)的操作和能量管理。
3. **電源保護(hù)電路**: 在各種電源保護(hù)電路中應(yīng)用,確保電流過(guò)載時(shí)的快速斷開(kāi)和保護(hù)功能。
4. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 在高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中使用,以提高轉(zhuǎn)換效率和減少能量損失。

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