### 產品簡介
B11NM60-VB 是一款高效單級N溝道 MOSFET，封裝形式為 TO263。采用 Trench 技術，具備低導通電阻和大電流處理能力，特別適用于高電壓開關和功率控制應用。

### 詳細參數說明
- **型號**: B11NM60-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單級N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V 柵極電壓下: 18mΩ
 - 10V 柵極電壓下: 12mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊
B11NM60-VB 適用于以下領域和模塊：

1. **電源開關**：在電源管理系統中，用作高電流開關，提供高效的功率控制和電源轉換。
2. **汽車電子**：在汽車電子系統中作為開關元件，處理高負荷應用，如電動窗戶控制和動力系統。
3. **消費電子**：用于家電和消費電子設備中的功率管理模塊，提升能效和穩定性。
4. **LED驅動**：在LED照明系統中，作為開關元件實現高效的電流調節和亮度控制。