### 產品簡介

**B20NM50FD-VB** 是一款高壓單極性N通道場效應晶體管，采用TO263封裝。該MOSFET基于SJ_Multi-EPI技術，設計用于處理高達650V的漏源電壓，具有優良的開關性能和高電流承載能力。它適合應用于需要高電壓、高功率處理的場合，并提供了穩定的開關特性和可靠的性能。

### 詳細參數說明

- **型號**: B20NM50FD-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極N通道
- **漏源電壓 (V_DS)**: 650V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±30V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3.5V
- **導通電阻 (R_DS(on))**: 160mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏電流 (I_D)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊

1. **電源管理**：B20NM50FD-VB適用于高壓電源管理系統，包括高電壓DC-DC轉換器和電源適配器。其高電壓耐受能力和低導通電阻使其能夠高效地處理高功率電流，提升電源系統的效率和可靠性。

2. **逆變器**：在太陽能逆變器和其他高電壓逆變器系統中，這款MOSFET能夠提供穩定的開關性能，處理650V的高電壓負載，有助于實現高效的能量轉換和管理。

3. **工業設備**：用于工業自動化設備中的高壓開關和電機驅動系統，B20NM50FD-VB能夠處理高電流和高電壓負載，確保設備在高壓環境下穩定運行。

4. **高壓開關**：適用于高壓開關應用，例如電源保護和高功率開關設備。它的高電流承載能力和穩定開關性能使其在高壓環境下表現出色。