### 產品簡介
B20NM60-VB 是一款高電壓、高性能單極 N 通道 MOSFET，封裝為 TO263。它采用先進的 SJ_Multi-EPI 技術，具備 650V 的漏極源極電壓（VDS）和 15A 的連續漏極電流（ID）。其導通電阻（RDS(ON)）在 VGS 為 10V 時為 300mΩ，適合用于高電壓和高功率應用。閾值電壓（Vth）為 3.5V，VGS 范圍為 ±30V，確保其在極端電壓條件下的穩定性和可靠性。
### 詳細參數說明
- **型號**: B20NM60-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 300mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 適用領域和模塊示例
B20NM60-VB 適用于以下領域和模塊：
1. **高電壓電源管理**: 用于高電壓電源轉換器和電源模塊中，提供高電壓耐受能力和可靠的開關性能。
2. **開關電源**: 在開關電源中作為開關元件，處理高電壓電流，保障電源系統的穩定性。
3. **功率逆變器**: 在功率逆變器中使用，幫助高效轉換直流電源到交流電源，適用于光伏發電系統和其他高功率應用。
4. **工業控制**: 在工業設備和電氣控制系統中作為高電壓開關，提供高效的控制和保護功能。
