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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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B20S60-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): B20S60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

B20S60-VB 是一款高耐壓?jiǎn)瓮ǖ?N 溝道 MOSFET,封裝類型為 TO263。該 MOSFET 設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá) 650V 的漏源電壓,并且支持最大 20A 的漏極電流。采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻,適用于高電壓和高功率應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: B20S60-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單通道 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI 工藝

### 適用領(lǐng)域和模塊

B20S60-VB 適用于以下領(lǐng)域:

1. **電力轉(zhuǎn)換**: 用于高電壓開關(guān)電源和逆變器中,提供高效的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流調(diào)節(jié)。
2. **電力電子**: 在高功率電力設(shè)備中,如電源逆變器和功率調(diào)節(jié)器,處理高功率應(yīng)用的電源開關(guān)。
3. **工業(yè)控制**: 適合用于高壓工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和電力控制系統(tǒng),確保穩(wěn)定可靠的功率開關(guān)功能。
4. **家電設(shè)備**: 在高電壓家電和照明系統(tǒng)中,如空調(diào)和高壓燈具,提供高效能和安全的電源管理。

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