### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
B25NM50N-VB 是一款高電壓、高性能單極 N 通道 MOSFET，封裝為 TO263。它采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)，具有 500V 的漏極源極電壓（VDS）和 30A 的連續(xù)漏極電流（ID）。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在 VGS 為 10V 時(shí)為 140mΩ，適合高電壓和高功率應(yīng)用。閾值電壓（Vth）為 3.5V，VGS 范圍為 ±30V，確保在各種電壓條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: B25NM50N-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 140mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
B25NM50N-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊：
1. **高電壓電源管理**: 用于高電壓電源轉(zhuǎn)換器和電源模塊中，提供高電壓耐受能力和穩(wěn)定的開關(guān)性能。
2. **開關(guān)電源**: 在高電壓開關(guān)電源中作為關(guān)鍵開關(guān)元件，處理高電壓電流以保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
3. **功率逆變器**: 用于功率逆變器系統(tǒng)中，幫助高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，適用于光伏發(fā)電和其他高功率應(yīng)用。
4. **工業(yè)控制**: 在各種工業(yè)控制系統(tǒng)中作為高電壓開關(guān)，提供高效的控制和保護(hù)功能。
