**產品簡介**

B262L-VB是一款高電流、高性能的單N通道場效應晶體管（MOSFET），采用TO-263封裝和Trench工藝。該MOSFET設計用于高效電源管理和負載驅動應用，能夠處理高達60V的漏源電壓，提供卓越的低導通電阻和高電流處理能力。它的低R_DS(ON)特性使其在高電流條件下表現優異，適合各種需要高效開關性能的應用場景。

**詳細參數說明**

- **型號**：B262L-VB
- **封裝**：TO-263
- **配置**：單N通道
- **最大漏源電壓 (V_DS)**：60V
- **最大柵源電壓 (V_GS)**：±20V
- **閾值電壓 (V_th)**：3V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**：
 - 4.5V時：12mΩ
 - 10V時：3.2mΩ
- **最大漏電流 (I_D)**：210A
- **技術**：Trench工藝

**應用領域和模塊**

1. **電源管理系統**：B262L-VB適用于高效DC-DC轉換器、電源供應系統，能夠處理高電流負載，同時優化電源轉換效率，降低功耗。

2. **電動汽車**：在電動汽車的電池管理系統和電動機驅動中，此MOSFET能夠處理高電流和高負載，提高系統的整體性能和穩定性。

3. **工業驅動應用**：用于工業電機驅動系統，提供高電流控制和低導通電阻，幫助提高電機驅動的效率和可靠性。

4. **高功率電源**：適合高功率電源和負載驅動應用，能夠在高電流和高電壓條件下穩定工作，提升系統的性能和可靠性。