**產品簡介：**

B284L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，封裝為 TO263，設計用于中高電壓和高電流應用。該 MOSFET 提供 80V 的漏源電壓（VDS）和 120A 的最大漏極電流（ID），在 VGS 為 4.5V 和 10V 時，其導通電阻（RDS(on)）分別為 10mΩ 和 6mΩ。采用 Trench 技術，這款 MOSFET 具有極低的導通阻抗和優(yōu)良的開關特性，非常適合高功率密度和高效率的電子電路設計。

**詳細參數(shù)說明：**

- **型號**: B284L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單管 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(on))**: 
 - 10mΩ（VGS=4.5V 時）
 - 6mΩ（VGS=10V 時）
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench

**應用領域和模塊示例：**

1. **高功率開關電源 (High-Power Switching Power Supplies)**: 由于其低導通電阻和高電流能力，B284L-VB 適用于高功率開關電源，能顯著提高系統(tǒng)的轉換效率，并減少熱量散發(fā)。

2. **電動汽車 (Electric Vehicles)**: 在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和動力控制模塊中，這款 MOSFET 能處理高電流負載，提供高效的性能和穩(wěn)定性。

3. **工業(yè)設備 (Industrial Equipment)**: 適用于工業(yè)電機驅動和高功率開關應用，能夠提供可靠的開關性能和高電流承載能力，提升系統(tǒng)整體性能。

4. **電源管理系統(tǒng) (Power Management Systems)**: B284L-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異，低 RDS(on) 能提高系統(tǒng)的能效，減少功率損耗和熱量。