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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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B410L-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: B410L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介
B410L-VB 是一款高功率、高電流單級N溝道 MOSFET,封裝形式為 TO263。采用 Trench 技術,提供極低的導通電阻和高電流承載能力,專為高電壓、高功率應用設計,具有優異的性能和可靠性。

### 詳細參數說明
- **型號**: B410L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單級N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 140A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊
B410L-VB 適用于以下領域和模塊:

1. **高功率電源開關**:用于高功率電源系統中的開關應用,提供低損耗和高效能的功率控制。
2. **電動汽車**:在電動汽車的動力控制系統中處理高電流負載,提高系統性能和可靠性。
3. **DC-DC 轉換器**:用于高功率 DC-DC 轉換器中作為開關元件,優化電力轉換并降低能量損耗。
4. **工業電源**:在工業設備和電源管理系統中,作為高電流開關元件,確保系統的穩定和高效運作。

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