### 產(chǎn)品簡介

B411L-VB 是一款高性能單通道 P 溝道 MOSFET，封裝類型為 TO263。此 MOSFET 能承受高達 -60V 的漏源電壓，并且支持最大 -110A 的漏極電流。采用 Trench 工藝，具有低導(dǎo)通電阻，適合用于高電流和高功率的負載切換。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: B411L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單通道 P 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 8.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 6.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -110A
- **技術(shù)**: Trench 工藝

### 適用領(lǐng)域和模塊

B411L-VB 適用于以下領(lǐng)域：

1. **電源管理**: 在負載開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換器中作為高效的功率開關(guān)，提供低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。
2. **汽車電子**: 適合用于汽車電氣系統(tǒng)中的負載開關(guān)，如電動座椅和車燈控制，因其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
3. **電力電子**: 用于高功率電源設(shè)備中，如逆變器和電源調(diào)節(jié)器，處理高電流負載和功率需求。
4. **工業(yè)控制**: 在高功率自動化控制系統(tǒng)中作為負載開關(guān)，提供高效的電源切換和控制功能。