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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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B411L-VB一款Single-P溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: B411L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-P

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

B411L-VB 是一款高性能單通道 P 溝道 MOSFET,封裝類型為 TO263。此 MOSFET 能承受高達 -60V 的漏源電壓,并且支持最大 -110A 的漏極電流。采用 Trench 工藝,具有低導通電阻,適合用于高電流和高功率的負載切換。

### 詳細參數說明

- **型號**: B411L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單通道 P 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 8.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 6.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -110A
- **技術**: Trench 工藝

### 適用領域和模塊

B411L-VB 適用于以下領域:

1. **電源管理**: 在負載開關和電源轉換器中作為高效的功率開關,提供低導通電阻和高電流處理能力。
2. **汽車電子**: 適合用于汽車電氣系統中的負載開關,如電動座椅和車燈控制,因其高電流能力和低導通電阻能確保系統的穩定性和可靠性。
3. **電力電子**: 用于高功率電源設備中,如逆變器和電源調節器,處理高電流負載和功率需求。
4. **工業控制**: 在高功率自動化控制系統中作為負載開關,提供高效的電源切換和控制功能。

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