### 產品簡介

**B416L-VB** 是一款采用 TO263 封裝的單級 N 溝道 MOSFET。該器件使用溝槽工藝，具備極低的導通電阻和高電流處理能力，適合用于高功率和高效率的電子應用場景。

### 參數說明

- **封裝**：TO263
- **配置**：單級 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：30V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 2.3mΩ @ VGS = 10V
 - 3.2mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏電流 (ID)**：150A
- **技術**：溝槽工藝

### 適用領域和模塊示例

1. **高功率電源開關**：B416L-VB 的低導通電阻和高電流能力使其適合用于高功率電源開關，能夠有效提高開關效率，減少功耗和發熱，適用于各種電源管理模塊。

2. **DC-DC 轉換器**：在 DC-DC 轉換器中，該 MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻有助于提高轉換效率，減少功耗，適合高效能電源系統。

3. **電動汽車**：適用于電動汽車的電池管理系統和電機控制模塊，處理高電流負載，提升系統的可靠性和性能。

4. **工業電力開關**：在工業控制系統中，B416L-VB 可用作高電流開關組件，提供穩定的電流控制，提高系統的整體效率和耐用性。