### 一、產品簡介
**型號：B50NE10-VB**
B50NE10-VB是一款高壓、高電流的單N溝道MOSFET，采用TO263封裝。該器件利用先進的Trench技術制造，具有低導通電阻和高電流處理能力，適用于需要高壓和高電流的應用場景。B50NE10-VB能夠承受高達100V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），其門檻電壓（Vth）為1.8V，確保在較低的柵極電壓下能夠可靠地開啟。該MOSFET在10V柵極電壓下的導通電阻（RDS(ON)）為20mΩ，能夠提供高達70A的連續漏極電流（ID），在高壓應用中表現出色。
### 二、詳細的參數說明
- **型號**: B50NE10-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 100V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **門檻電壓（Vth）**: 1.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- @VGS = 10V: 20mΩ
- **連續漏極電流（ID）**: 70A
- **技術**: Trench
### 三、應用領域和模塊舉例
**高壓電源管理**：B50NE10-VB的高漏源電壓能力使其非常適合用于高壓電源管理系統，如高壓DC-DC轉換器和電源開關。其低導通電阻和高電流處理能力確保了在高壓環境下的高效能和穩定性，適用于工業電源和高電壓電子設備。
**電動汽車充電系統**：在電動汽車的充電系統中，B50NE10-VB能夠處理高電壓和大電流，確保充電過程中的穩定性和高效性。其高電流能力和低RDS(ON)特性對保證電池充電效率和系統安全性至關重要。
**功率放大器**：在需要高功率輸出的應用中，如功率放大器和射頻（RF）放大器，B50NE10-VB的高壓承受能力和低導通電阻可以有效提高系統的性能和效率。這對于通信設備和廣播設備中的功率放大應用尤為重要。
**逆變器**：在太陽能逆變器和其他電力逆變設備中，B50NE10-VB能夠在高壓條件下穩定工作，減少功率損耗并提高系統的整體效率。其高電流能力和低RDS(ON)特性使其成為高效逆變器設計的關鍵組件。
