V-GaN 系列INN040W048A氮化鎵芯片，耐壓40V，導(dǎo)通電阻4.8mΩ，支持雙向?qū)ā＞邆錈o體二極管、低導(dǎo)通阻抗等特性，僅用1顆就能代替兩顆硅MOSFET。同時(shí)采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封裝，為終端產(chǎn)品節(jié)省系統(tǒng)空間的同時(shí)，有效降低了系統(tǒng)能耗。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 電壓40V 低內(nèi)阻4.8mR
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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