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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC014N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSC014N03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**BSC014N03LS G-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用Trench技術制造。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和最大20V的柵源電壓(VGS),適用于高電流、高開關頻率的應用。其低導通電阻特性使其在高效能的功率轉換和開關應用中表現優異。

### 參數說明

- **型號**: BSC014N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 160A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

**BSC014N03LS G-VB** 主要適用于以下領域和模塊:

1. **電源管理**: 在高效率電源轉換器中使用,如DC-DC轉換器,能夠有效降低功率損耗。
2. **開關電路**: 在需要高開關頻率和低導通電阻的開關電路中,如逆變器和功率放大器。
3. **電機驅動**: 用于電機驅動模塊中,提供穩定的電流控制,提升電機的整體效率。
4. **汽車電子**: 適合用于汽車電子系統中,如電動助力轉向系統,保證高可靠性的電流傳輸和控制。

通過這些應用,可以顯著提升系統的性能和效率。

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