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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC016N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSC016N03MS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**1. 產品簡介:**

BSC016N03MS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封裝為 DFN8(5x6)。它采用了 Trench 技術,具有極低的導通電阻和高電流承載能力,適用于要求高效能和高密度的電子應用。

**2. 詳細參數說明:**

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ(在 VGS=4.5V 時)
 - 1.8mΩ(在 VGS=10V 時)
- **漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術**: Trench

**3. 應用領域舉例:**

BSC016N03MS G-VB 適用于高電流開關電源、DC-DC 轉換器、功率管理模塊、電機驅動、LED 驅動和高效能電源管理系統。其超低導通電阻使其在高頻和高效能要求的應用中表現優異,能夠顯著提升系統的整體效率和可靠性。

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