### 產品簡介
BSC018NE2LS-VB 是一款采用 DFN8 (5x6) 封裝的單通道 N 溝道 MOSFET，適用于低電壓、高電流應用。其具有 30V 的漏極-源極耐壓、20V 的柵極-源極耐壓、以及 1.7V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅動電壓下，具有 2.5mΩ 的導通電阻，在 10V 的柵極驅動電壓下則為 1.8mΩ。其最大漏極電流可達 160A，采用先進的 Trench 技術制造，適合高性能的電源管理應用。

### 參數說明
- **型號**: BSC018NE2LS-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域
BSC018NE2LS-VB 適用于以下領域和模塊：
- **電源管理**: 在高功率 DC-DC 轉換器中，用于高效電流傳輸和開關操作。
- **電動汽車**: 在電動汽車的動力系統中，作為高電流開關，處理電池和電機之間的功率轉換。
- **計算機和服務器**: 用于高性能計算系統中的電源模塊，優化電源分配和熱管理。
- **工業控制**: 在工業設備中作為高電流開關，確?？煽康碾娫辞袚Q和負載控制。