--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**BSC029N025S G-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝,設計用于高電流和高效率應用。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS),支持±20V的柵極源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,具有低導通電阻2.5mΩ(VGS=4.5V)和1.8mΩ(VGS=10V),可以承受高達160A的漏電流。MOSFET采用溝槽技術,適用于需要高電流和低損耗的電源和負載開關應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: BSC029N025S G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 160A
- **技術**: 溝槽技術

### 適用領域和模塊
**BSC029N025S G-VB** 功率MOSFET 適用于以下領域和模塊:
1. **電源管理**:在高效電源轉換器和DC-DC轉換器中作為開關元件,適合處理大電流負載,提供高效能量轉換。
2. **電機驅動**:在高電流電機驅動系統中,用于高效開關電流,能夠處理大電流負載并保持低熱損耗。
3. **電池管理系統**:用于電池保護和管理,特別是在需要高電流的應用中,確保系統的穩定性和長壽命。
4. **功率轉換應用**:在各種功率轉換模塊中,如逆變器和電力調節器,用于實現高效的功率轉換和減少功耗。
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