### 產品簡介

BSC030N04NS G-VB是一款高性能單管N溝道MOSFET，采用DFN8 (5x6)封裝。該MOSFET具備40V的漏極-源極耐壓、20V的柵極-源極耐壓以及3V的門檻電壓。使用Trench技術制造，具有非常低的導通電阻，適合高電流和高效率的應用環境。

### 參數說明

- **型號**: BSC030N04NS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10V柵極驅動下: 2mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench技術

### 應用領域

BSC030N04NS G-VB適用于以下領域和模塊：

1. **電源轉換**: 由于其極低的導通電阻和高電流能力，非常適合用于高效電源轉換器和電流管理系統。
2. **DC-DC轉換器**: 適用于高功率DC-DC轉換器中的開關元件，以提高系統效率并減少功率損耗。
3. **電動汽車**: 用于電動汽車的電池管理系統和電機驅動電路中，提供高效的開關控制。
4. **高功率開關**: 在高功率開關電源和電力分配系統中，用于高電流開關應用。

這種MOSFET的高電流能力和低導通電阻，使其在要求高效能和高可靠性的應用中表現優異。