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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC042N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSC042N03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BSC042N03LS G-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET,封裝類型為 DFN8 (5x6)。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于低電壓、高電流應(yīng)用,具備 30V 的漏極-源極耐壓、20V 的柵極-源極耐壓、以及 1.7V 的柵極閾值電壓。其導(dǎo)通電阻為 2.5mΩ(4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓下)和 1.8mΩ(10V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓下),并支持高達(dá) 160A 的漏極電流。采用 Trench 技術(shù)制造,確保了卓越的開(kāi)關(guān)性能和高效能。

### 參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: BSC042N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSC042N03LS G-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**: 在高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為開(kāi)關(guān)元件,提供低損耗的電流控制。
- **電動(dòng)汽車**: 在電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中用作高電流開(kāi)關(guān),優(yōu)化電池和電機(jī)的能量轉(zhuǎn)換。
- **數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器**: 用于高功率電源模塊中,支持穩(wěn)定的電源分配和熱管理。
- **工業(yè)控制**: 在高負(fù)載電源系統(tǒng)中提供可靠的開(kāi)關(guān)功能,確保設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

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