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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC048N025S G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSC048N025S G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**BSC048N025S G-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用Trench技術制造。它封裝在DFN8 (5x6)中,設計用于需要高電流和高開關頻率的應用。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和最大20V的柵源電壓(VGS),在各種苛刻環境中提供低導通電阻和優異的開關性能,適合用于高效能電源管理和開關應用。

### 參數說明

- **型號**: BSC048N025S G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 160A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

**BSC048N025S G-VB** 主要適用于以下領域和模塊:

1. **高效電源管理**: 在30V電源轉換器中使用,有助于減少功率損耗,提升系統的能效和可靠性,適合DC-DC轉換器和高效電源模塊。
2. **開關電路**: 用于高開關頻率的開關電路,如逆變器和電源開關模塊,提供低導通電阻和穩定的開關性能。
3. **電動驅動**: 在電動汽車和高電流驅動系統中應用,能夠處理高電流,確保系統的穩定性和高效能。
4. **工業控制**: 用于工業自動化設備中,能夠處理高電流負載,提升系統的整體性能和可靠性。

該MOSFET的高電流和低導通電阻特性使其在多個高效能應用場景中表現優異。

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