**1. 產品簡介：**

BSC050N03MS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。采用 Trench 技術，提供低導通電阻和高電流處理能力，適用于要求高效能和高密度的電子設備。

**2. 詳細參數說明：**

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ（在 VGS=4.5V 時）
 - 3mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench

**3. 應用領域舉例：**

BSC050N03MS G-VB 適用于高電流密度的電源管理系統，如 DC-DC 轉換器、電源調節模塊、電機驅動、LED 驅動電路和高效能電源系統。其較低的導通電阻使其在高功率和高頻應用中能夠有效減少功率損耗，提高系統整體效率。