**產品簡介：**
BSC050NE2LS-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)，專為中低電壓、大電流應用設計。其 VDS（漏極-源極最大電壓）為 30V，最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V，漏極電流 ID 達 120A。該 MOSFET 采用溝槽型工藝技術，具有低導通電阻（RDS(ON) 為 5mΩ 在 VGS=4.5V 時，3mΩ 在 VGS=10V 時），適用于需要高效率和高可靠性的開關電路。

**詳細參數說明：**
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓（VDS）**: 30V
- **柵源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 5mΩ @ VGS = 4.5V；3mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 120A
- **技術**: 溝槽型工藝

**應用領域和模塊示例：**
1. **高效電源轉換**：在高效的 DC-DC 轉換器和電源管理系統中，BSC050NE2LS-VB 的低 RDS(ON) 可以減少功耗，提高系統效率，適合用于高電流的電源設計。
2. **電動汽車**：在電動汽車的電池管理系統和電機驅動模塊中，該 MOSFET 能處理大電流負載，保證電動汽車系統的穩定性和性能。
3. **工業電機驅動**：用于工業電機驅動控制和高功率開關系統中，BSC050NE2LS-VB 的高電流能力和低導通電阻使其適合用于要求高負載和高效能的應用。