### 產品簡介
BSC052N03S G-VB 是一款高性能單通道 N 溝道 MOSFET，采用 DFN8 (5x6) 封裝，專為低電壓、高電流應用設計。其具有 30V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓，以及 1.7V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅動電壓下，導通電阻為 5mΩ，在 10V 的柵極驅動電壓下則為 3mΩ。它支持最大 120A 的漏極電流，采用 Trench 技術制造，提供了出色的開關性能和高效能。

### 參數說明
- **型號**: BSC052N03S G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域
BSC052N03S G-VB 適用于以下領域和模塊：
- **電源管理**: 在高效的 DC-DC 轉換器中用作開關元件，確保低功耗和高效能。
- **電動汽車**: 作為動力系統中的高電流開關元件，支持電池和電機之間的能量傳輸。
- **計算機和服務器**: 用于電源模塊，處理高負載電流，確保穩定電源分配。
- **工業控制**: 在高電流負載應用中提供可靠的開關功能，保證設備的穩定運行和長壽命。