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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC054N04NS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSC054N04NS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**BSC054N04NS G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET,封裝形式為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 采用 Trench 技術,具有低導通電阻和較高的漏電流承載能力,適用于需要高效率和穩定性的電源管理和開關應用。

### 詳細參數說明

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: 40V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 2.5V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
 - 6mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 4.7mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 70A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

1. **開關電源**: BSC054N04NS G-VB 可在高效開關電源中作為開關元件使用,其低導通電阻有助于減少功耗,提高系統整體效率。

2. **電源管理**: 在電源管理系統中,作為功率開關能夠優化電源分配,適用于電池管理、電源調節和高功率轉換器。

3. **電機控制**: 適用于電機驅動模塊中,能夠穩定處理電機負載中的高電流,適合用于各種電機驅動應用。

4. **消費電子設備**: 在計算機和其他消費電子設備中,用作高效功率開關,幫助提升設備性能并降低功耗。

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