### 產(chǎn)品簡介

**BSC054N04NS G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET，封裝形式為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和較高的漏電流承載能力，適用于需要高效率和穩(wěn)定性的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: 40V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))**:
 - 6mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 4.7mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **開關(guān)電源**: BSC054N04NS G-VB 可在高效開關(guān)電源中作為開關(guān)元件使用，其低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗，提高系統(tǒng)整體效率。

2. **電源管理**: 在電源管理系統(tǒng)中，作為功率開關(guān)能夠優(yōu)化電源分配，適用于電池管理、電源調(diào)節(jié)和高功率轉(zhuǎn)換器。

3. **電機控制**: 適用于電機驅(qū)動模塊中，能夠穩(wěn)定處理電機負(fù)載中的高電流，適合用于各種電機驅(qū)動應(yīng)用。

4. **消費電子設(shè)備**: 在計算機和其他消費電子設(shè)備中，用作高效功率開關(guān)，幫助提升設(shè)備性能并降低功耗。