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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC057N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSC057N03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSC057N03LS G-VB是一款高性能單管N溝道MOSFET,封裝形式為DFN8 (5x6)。該MOSFET設(shè)計(jì)用于處理高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用,具備30V的漏極-源極耐壓、20V的柵極-源極耐壓和1.7V的門檻電壓。采用Trench技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻,適用于高效電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSC057N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 5mΩ
 - 10V柵極驅(qū)動(dòng)下: 3mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BSC057N03LS G-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高效電源管理**: 由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流能力,非常適合用于電源管理系統(tǒng),提供高效的電源轉(zhuǎn)換和分配。
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為低側(cè)開關(guān),減少功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。
3. **電動(dòng)汽車**: 用于電動(dòng)汽車的電池管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),提供高效的開關(guān)控制和電流處理能力。
4. **功率開關(guān)應(yīng)用**: 適用于需要高電流承載和低導(dǎo)通電阻的高功率開關(guān)應(yīng)用,如高功率放大器和開關(guān)電源。

該MOSFET的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其在高效能和高可靠性的應(yīng)用環(huán)境中表現(xiàn)出色。

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