### 一、產品簡介

BSC080N03MS G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET，采用DFN8(5x6)封裝，專為低電壓和高電流應用設計。該MOSFET 使用Trench技術，具備極低的導通電阻和較高的電流處理能力，非常適合需要高效率和高可靠性的電子系統。

### 二、詳細的參數說明

| 參數            | 數值            |
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| **封裝類型**     | DFN8(5x6)       |
| **配置**         | 單N溝道         |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | 30V             |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±20V            |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 1.7V            |
| **導通電阻 (RDS(ON))**    | 9mΩ @ VGS=4.5V  |
|                         | 7mΩ @ VGS=10V  |
| **連續漏極電流 (ID)**     | 80A             |
| **技術**         | Trench          |

### 三、應用領域和模塊舉例

1. **DC-DC轉換器**
  BSC080N03MS G-VB 在DC-DC轉換器中表現卓越，低導通電阻和高電流處理能力使其在高效能電源轉換應用中發揮重要作用，有助于降低功率損耗并提升系統性能。

2. **電源管理**
  在電源管理系統中，例如電源開關和電流調節應用，BSC080N03MS G-VB 的高電流承載能力和低RDS(ON) 特性使其非常適合用作開關元件，提升系統的效率和可靠性。

3. **電動汽車**
  對于電動汽車的電池管理和驅動系統，BSC080N03MS G-VB 能夠處理較大的電流并提供低導通電阻，從而幫助提高電動汽車的性能和續航能力。

4. **工業電機控制**
  在工業電機控制系統中，BSC080N03MS G-VB 提供了高電流處理能力和低導通電阻，確保電機驅動系統的高效和穩定運行。

BSC080N03MS G-VB 以其低導通電阻和高電流處理能力，適用于各種需要高效能和高可靠性的低電壓應用領域。