### 一、產品簡介
**型號：BSC100N06LS3 G-VB**
BSC100N06LS3 G-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用DFN8(5x6)封裝。這款MOSFET利用先進的Trench技術制造，具有較低的導通電阻和良好的電流處理能力，適合用于各種電源管理和開關應用。BSC100N06LS3 G-VB支持高達60V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），其門檻電壓（Vth）為2.5V，確保能夠在適中的柵極電壓下可靠開啟。該MOSFET在4.5V柵極電壓下的導通電阻（RDS(ON)）為13mΩ，在10V柵極電壓下為10mΩ，能夠提供高達50A的連續漏極電流（ID）。這使其在要求較高電流和高效率的應用中表現出色。
### 二、詳細的參數說明
- **型號**: BSC100N06LS3 G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 60V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **門檻電壓（Vth）**: 2.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- @VGS = 4.5V: 13mΩ
- @VGS = 10V: 10mΩ
- **連續漏極電流（ID）**: 50A
- **技術**: Trench
### 三、應用領域和模塊舉例
**電源管理系統**：BSC100N06LS3 G-VB因其良好的電流處理能力和適中的導通電阻，適用于各種電源管理系統。在DC-DC轉換器、開關電源和電源供應單元中，這款MOSFET可以有效降低功耗，提高系統效率，適用于計算機電源、電源適配器和通信設備中的電源管理模塊。
**電動汽車**：在電動汽車的電機驅動和電池管理系統中，BSC100N06LS3 G-VB能夠處理較高的電流，確保系統的高效穩定。這款MOSFET的低導通電阻和適中的電流處理能力使其成為電動汽車驅動系統和電池管理系統中的理想選擇。
**LED驅動器**：對于中高功率的LED照明應用，BSC100N06LS3 G-VB提供的低導通電阻有助于減少功耗和熱量，提高LED的工作效率和使用壽命。這使其在LED驅動模塊和高亮度LED照明系統中表現出色。
**工業電源**：BSC100N06LS3 G-VB適用于工業電源系統，如變頻器和工業電源供應單元。其良好的電流處理能力和導通電阻適中，可以處理各種工業應用中的功率負載，保證系統的高效穩定運行。
**開關電路**：在需要可靠開關性能的電路中，如電機驅動和功率轉換模塊，BSC100N06LS3 G-VB能夠提供穩定的開關性能。其適中的導通電阻和高電流能力使其適合用于各種開關應用。
