### 一、產品簡介

BSC190N12NS3 G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET，采用DFN8(5x6)封裝，設計用于中高電壓應用。此MOSFET 使用Trench技術，能夠在高達100V的漏極-源極電壓下工作，提供低導通電阻和較高的電流處理能力，適合用于需要高效率和高可靠性的功率管理系統。

### 二、詳細的參數說明

| 參數            | 數值            |
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| **封裝類型**     | DFN8(5x6)       |
| **配置**         | 單N溝道         |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | 100V            |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±20V            |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 1.8V            |
| **導通電阻 (RDS(ON))**    | 17mΩ @ VGS=10V  |
| **連續漏極電流 (ID)**     | 30A             |
| **技術**         | Trench          |

### 三、應用領域和模塊舉例

1. **DC-DC轉換器**
  BSC190N12NS3 G-VB 在DC-DC轉換器中表現卓越，能夠處理100V的高電壓，低導通電阻有助于提升電源轉換效率，減少功率損耗，提高系統的整體性能。

2. **電源管理**
  在電源管理系統中，如電源開關和電流調節應用，BSC190N12NS3 G-VB 的高電壓耐受能力和低RDS(ON)使其成為理想的開關元件，保證系統的高效能和穩定性。

3. **電動汽車**
  在電動汽車的電池管理和驅動系統中，BSC190N12NS3 G-VB 的高電壓承受能力和較低的導通電阻，能夠有效處理電動汽車系統中的功率需求，提高其性能和續航能力。

4. **工業電機控制**
  對于工業電機控制系統，BSC190N12NS3 G-VB 能夠提供高電流和低導通電阻，適合用于高電壓電機的啟動和控制，確保系統的高效穩定運行。

BSC190N12NS3 G-VB 以其高電壓耐受能力和低導通電阻，適用于各種需要高效率和高可靠性的功率管理和電源轉換應用。