### 產品簡介
BSC196N10NS G-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用DFN8(5x6)封裝，專為高電壓和中電流應用設計。這款MOSFET使用Trench技術，具有適中的導通電阻和較高的電壓耐受能力，可以在高達100V的漏源極電壓下穩定工作，并提供最大30A的漏極電流。其設計使其特別適用于高電壓開關和功率管理應用，提供了可靠的性能和較低的能量損耗。
### 詳細參數說明
- **型號**: BSC196N10NS G-VB
- **封裝類型**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 17mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊示例
1. **高電壓DC-DC轉換器**：BSC196N10NS G-VB MOSFET在高電壓DC-DC轉換器中表現優異，能夠在高達100V的電壓下提供穩定的開關性能。其適中的導通電阻和高電流能力幫助提高轉換器的效率，減少功率損耗。
2. **電源管理系統**：在電源管理應用中，這款MOSFET可以有效地處理高電壓負載并提供穩定的開關性能。其較低的導通電阻確保了在高電壓和大電流環境中的穩定性和可靠性。
3. **高功率LED驅動器**：BSC196N10NS G-VB MOSFET適合用于高功率LED驅動器，能夠在高電壓條件下穩定地控制大電流，提升LED的亮度和壽命。其較低的導通電阻有助于減少功率損耗，提高驅動器的整體效率。
4. **開關電源 (SMPS)**：在開關電源模塊中，這款MOSFET能夠處理較高的電壓和電流負載。其優異的導通性能和高電壓耐受性使其適用于高功率開關操作，提高電源系統的整體效率。
5. **電動汽車 (EV) 電池管理**：BSC196N10NS G-VB MOSFET能夠用于電動汽車的電池管理系統，處理高電壓和大電流的充放電操作。其穩定的性能和高電壓耐受能力確保了電池管理系統的可靠性和安全性。
BSC196N10NS G-VB憑借其高電壓耐受性和可靠的開關性能，在這些高電壓應用中展現出了優異的性能，是高電壓和高功率應用中的理想選擇。
