### 產品簡介

**BSC520N15NS3 G-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET，封裝為DFN8(5x6)。此MOSFET具有150V的漏源電壓（VDS）和最大±20V的柵極源電壓（VGS）。其閾值電壓（Vth）為3V，導通電阻為15.8mΩ（VGS=10V），最大漏電流為53.7A。MOSFET采用溝槽技術，適合用于高電壓和中等電流的電源和負載開關應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSC520N15NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 150V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 15.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 53.7A
- **技術**: 溝槽技術

### 適用領域和模塊

**BSC520N15NS3 G-VB** 功率MOSFET 適用于以下領域和模塊：

1. **高電壓電源管理**：在高電壓開關電源中用作開關元件，適合處理高電壓負載，提供高效的電源轉換。

2. **功率逆變器**：在光伏系統或UPS（不間斷電源）系統中作為開關元件，實現高電壓直流到交流的轉換，確保系統的穩定性和高效性。

3. **電動汽車和工業電機驅動**：用于高電壓電機驅動系統，能夠處理較高電壓的負載，適合電動汽車和工業自動化中的電機應用。

4. **電池管理系統**：在電池保護和管理系統中，用于高電壓應用，確保系統的穩定性和安全性，特別適合高電壓負載的應用場景。