### 產品簡介

**BSC900N20NS3 G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET，封裝形式為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 采用 Trench 技術，具備高耐壓和穩定的電流承載能力，適合用于高電壓、高功率的開關和電源管理應用。

### 詳細參數說明

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: 200V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導通電阻 (R_DS(on))**: 38mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 30A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

1. **高電壓開關電源**: BSC900N20NS3 G-VB 適用于高電壓開關電源應用，能夠處理高達 200V 的電壓，保證電源系統的穩定和高效。

2. **功率管理**: 在高功率電源管理系統中使用，能夠有效控制和調節高電壓電源，適用于電池管理和電源分配模塊。

3. **電機控制**: 適合高電壓電機驅動系統，提供穩定的電流控制和高效開關功能，確保電機在高壓環境下穩定運行。

4. **工業設備**: 在工業設備中作為高電壓開關使用，適用于需要高耐壓、高功率處理的場景，如工業電源和高功率負載控制。