--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-3
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介:**
BSH112-VB 是一款 N-Channel MOSFET,封裝為 SOT23-3,適用于中等電壓的小型開關(guān)應(yīng)用。該 MOSFET 的 VDS(漏極-源極最大電壓)為 60V,最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V,漏極電流 ID 達(dá)到 0.3A。其導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 3100mΩ(在 VGS=4.5V 時)和 2800mΩ(在 VGS=10V 時),采用溝槽型工藝技術(shù),適合用于需要中等電流和高耐壓的小型開關(guān)電路。
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **封裝**: SOT23-3
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**: 60V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V;2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 0.3A
- **技術(shù)**: 溝槽型工藝

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **小型電源開關(guān)**:在小型電源管理和開關(guān)電路中,BSH112-VB 的中等導(dǎo)通電阻和較高的 VDS 使其適用于低功耗開關(guān)應(yīng)用,如小型電源開關(guān)和保護(hù)電路。
2. **低功耗電子設(shè)備**:用于低功耗電子設(shè)備和便攜式設(shè)備中,BSH112-VB 能夠提供足夠的電流處理能力,適合用于需要空間有限的設(shè)計。
3. **信號開關(guān)**:在信號開關(guān)和模擬電路中,該 MOSFET 可用作開關(guān)控制,支持中等電壓和電流的應(yīng)用,適合用于小型、低功耗的電路設(shè)計。
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