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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSH301-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSH301-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TSSOP8
  • 溝道 Common Drain-N+N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

BSH301-VB是一款高性能共源極配置N溝道MOSFET,封裝形式為TSSOP8。該MOSFET支持20V的漏極-源極耐壓和20V的柵極-源極耐壓,具備0.5~1.5V的門檻電壓。采用Trench技術,具有低導通電阻,適用于各種開關和電源管理應用。

### 參數說明

- **型號**: BSH301-VB
- **封裝**: TSSOP8
- **配置**: 共源極N+N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5V柵極驅動下: 32mΩ
 - 4.5V柵極驅動下: 22mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 6.6A
- **技術**: Trench技術

### 應用領域

BSH301-VB適用于以下領域和模塊:

1. **電源開關**: 由于其低導通電阻和高電流承載能力,適合用于高效電源開關和電源管理系統。
2. **開關電源**: 用于開關電源設計中,作為高效開關元件,確保低功率損耗和高效率。
3. **電動汽車**: 在電動汽車中用于電池管理系統和電機驅動電路,提供穩定的開關控制。
4. **功率放大器**: 在功率放大器電路中,作為開關或驅動元件,提高系統的整體性能和效率。

該MOSFET的低導通電阻和良好的電流處理能力使其在要求高效、穩定開關的應用中表現突出。

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