### 產品簡介
BSO080P03NS3 G-VB 是一款高性能單通道 P 溝道 MOSFET，封裝為 SOP8，專為低電壓、高電流應用設計。其具備 -30V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 -3V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅動電壓下，導通電阻為 8mΩ，在 10V 的柵極驅動電壓下為 5mΩ。最大漏極電流為 -18A，采用 Trench 技術制造，確保了優異的開關性能和低導通電阻。

### 參數說明
- **型號**: BSO080P03NS3 G-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單通道 P 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 8mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -18A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域
BSO080P03NS3 G-VB 適用于以下領域和模塊：
- **電源管理**: 在高電流電源模塊中作為開關元件，優化電源的開關控制和負載切換。
- **電池管理**: 在電池保護和電源切換應用中，提供可靠的開關控制，確保電池安全。
- **消費電子**: 在智能手機、平板電腦和便攜式設備中用于電源開關，支持高效的電流管理。
- **汽車電子**: 適用于汽車電源管理系統中，處理高電流負載的開關操作，提升系統的穩定性和效率。