### 產品簡介

**BSO080P03NS3E G-VB** 是一款高性能單 P-Channel MOSFET，封裝形式為 SOP8。該 MOSFET 采用 Trench 技術，具備低導通電阻和較高的漏電流承載能力，專為高功率開關和電源管理應用設計。其高電流處理能力和低導通電阻使其非常適合于需要高效和穩定性的電子設備。

### 詳細參數說明

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單 P-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: -30V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: -3V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
 - 8mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 5mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: -18A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

1. **高效開關電源**: BSO080P03NS3E G-VB 適用于高效開關電源中，作為開關元件使用，能夠顯著提高電源效率和穩定性。

2. **電源管理**: 在電源管理系統中，該 MOSFET 能夠有效地控制電流并調節電源，適合用于電池管理系統和功率調節模塊。

3. **電機驅動**: 適用于電機控制電路中，提供高效的電流開關和穩定性，適合高功率電機應用。

4. **消費電子**: 用于高性能消費電子產品中，例如計算機主板和家用電器，作為開關元件提高系統的整體效率和可靠性。