**1. 產品簡介：**

BSO110N03MS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 SOP8。采用 Trench 技術，提供低導通電阻和適中的電流處理能力，非常適合用于高效能和高密度的電子應用。

**2. 詳細參數說明：**

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ（在 VGS=4.5V 時）
 - 8mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Trench

**3. 應用領域舉例：**

BSO110N03MS G-VB 適用于高電流和高效能的電源管理系統，如 DC-DC 轉換器、功率調節模塊、電機驅動、LED 驅動電路和高效能電源系統。其低導通電阻使其在高功率和高頻應用中能有效減少功率損耗，提高系統效率，特別適合用于電源開關和功率調節應用。