### 產品簡介

BSO200N03-VB是一款雙管N溝道MOSFET，封裝形式為SOP8。該MOSFET支持30V的漏極-源極耐壓和±20V的柵極-源極耐壓，具有1.7V的門檻電壓。采用Trench技術制造，具有低導通電阻，適合用于高效能的電源開關和電源管理應用。

### 參數說明

- **型號**: BSO200N03-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅動下: 20mΩ
 - 10V柵極驅動下: 16mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 8.5A
- **技術**: Trench技術

### 應用領域

BSO200N03-VB適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**: 用于電源管理系統中的開關控制，提供高效能的電流切換，降低功率損耗。
2. **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中作為低側開關，支持高電流和高效率的電源轉換。
3. **電動汽車**: 適用于電動汽車的電池管理系統和電機驅動系統，提供穩定的開關控制。
4. **功率放大器**: 在功率放大器和高功率開關應用中，作為開關元件，提供可靠的性能和高效率。

該MOSFET的低導通電阻和高電流承載能力使其在需要高效能和可靠性的開關應用中表現優異。