**1. 產品簡介：**

BSP75N-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 SOT223。采用 Trench 技術，提供可靠的開關性能和適中的導通電阻，適合用于中等功率和電流的電子應用。

**2. 詳細參數說明：**

- **封裝**: SOT223
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ（在 VGS=4.5V 時）
 - 76mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 4.5A
- **技術**: Trench

**3. 應用領域舉例：**

BSP75N-VB 適用于中等功率的開關和電源管理應用，如 DC-DC 轉換器、功率開關、電機驅動、LED 驅動電路和低功耗電源系統。其適中的導通電阻和較高的電壓承受能力使其在要求較高電流和電壓的應用中提供穩定的性能，特別適合用于電源保護和開關控制。